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主要用途
RPD蒸鍍制備ITO導電膜
物理及化學特性
化 學 式: In2O3/SnO2
外 觀: 綠色塊狀陶瓷
晶 粒 度: 5~15μm
電 阻 率: 1.2×10-4Ω·cm
線 脹 系 數: 5.8×10-6K-1
相 對 密 度: 60±2%
純 度: ≥99.99%
產品檢測方法
晶 粒 度: 掃描電鏡(SEM)觀察。
純 度: ICP—AES分析測試雜質含量。
密 度: 手測法(千分尺、分析天平)。
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