深圳傾佳變頻電力電子技術(shù)有限公司

深圳市傾佳電子有限公司（簡稱“傾佳電子”）是聚焦新能源與電力電子變革的核心推動者：

一、公司定位與使命

傾佳電子成立于2018年，總部位于深圳福田區(qū)，定位于功率半導(dǎo)體與新能源汽車連接器的專業(yè)分銷商，業(yè)務(wù)聚焦三大方向：

新能源：覆蓋光伏、儲能、充電基礎(chǔ)設(shè)施；

交通電動化：服務(wù)新能源汽車三電系統(tǒng)（電控、電池、電機）及高壓平臺升級；

數(shù)字化轉(zhuǎn)型：支持AI算力電源、數(shù)據(jù)中心等新型電力電子應(yīng)用。
公司以“推動國產(chǎn)SiC替代進(jìn)口、加速能源低碳轉(zhuǎn)型”為使命，響應(yīng)國家“雙碳”政策（碳達(dá)峰、碳中和），致力于降低電力電子系統(tǒng)能耗。

二、核心業(yè)務(wù)與產(chǎn)品體系

傾佳電子主營兩大產(chǎn)品線，形成“連接器+功率器件”協(xié)同解決方案：

新能源汽車高壓連接系統(tǒng)

高壓連接器與線束：應(yīng)用于車載OBC（充電機）、電機主驅(qū)、充電樁、電池管理系統(tǒng)等場景，支持800V高壓平臺升級，滿足高可靠性、抗干擾及機械穩(wěn)定性要求。

智能化演進(jìn)：布局模塊化連接器，適配智能駕駛傳感器（激光雷達(dá)、攝像頭等）的高速數(shù)據(jù)傳輸需求。

國產(chǎn)碳化硅功率器件推廣

核心代理品牌：分銷國產(chǎn)頭部企業(yè) BASiC?（基本半導(dǎo)體） 的SiC-MOSFET全系產(chǎn)品，包括：

SiC碳化硅肖特基二極管

B3D120040HC B3D04065KS B3D04065E B3D04065K B3D04065KF B3D06065E B3D06065KS B3D06065K B3D06065KF B3D08065KS B3D08065K B3D08065E B3D10065KF B3D10065E B3D10065KS B3D10065F B3D10065K B3D20065F B3D20065K B3D20065H B3D20065HC B3D30065H B3D40065HC B3D40065H B3D60065H2 B3D60065HC B3D80065HC B3D80065H2 B3D03120E B3D05120E B3D05120K B3D10120E B3D10120F B3D10120H B3D10120HC B3D15120H B3D20120H B3D20120F B3D20120HC B3D25120H B3D30120H B3D30120HC B3D40120H B3D40120H2 B3D40120HC B3D50120H2 B3D50120H B3D60120H2 B3DM060120N B3D80120HC

B2D04065E1 B2D04065D1 B2D04065KF1 B2D04065K1 B2D06065E1 B2D06065K1 B2D06065KF1 B2D08065K1 B2D10065E1 B2D10065F1 B2D10065K1 B2D10065KF1 B2D16065HC1 B2D20065H1 B2D20065HC1 B2D20065F1 B2D20065K1 B2D30065HC1 B2D30065H1 B2D40065H1 B2D40065HC1 B2D02120E1 B2D02120K1 B2D05120E1 B2D05120K1 B2D10120E1 B2D10120H1 B2D10120HC1 B2D10120K1 B2D15120H1 B2D16120HC1 B2D20120H1 B2D20120F1 B2D20120HC1 B2D30120H1 B2D30120HC1 B2D40120H1 B2D40120HC1 B2DM100120N1

車規(guī)級SiC-MOSFET單管：通過AEC-Q101認(rèn)證的碳化硅功率MOSFET，用于OBC、空調(diào)壓縮機；

AB2M080120H AB2M080120Z AB2M080120R AB2M040120R

SiC碳化硅MOSFET分立器件：

TO-247-3 B3M040065H B2M160120H B2M080120H B2M065120H B2M040120H B3M040120H B2M030120H B3M013C120H B2M600170H

TO-247-4 B3M040065Z B2M160120Z B2M080120Z B2M065120Z B2M040120Z B3M040120Z AB2M040120Z B2M030120Z B3M013C120Z

TOLL B3M040065L TOLT B3M040065B

TO-263-7 B2M160120R B2M080120R B2M065120R B2M040120R B3M040120R B2M030120R B2M600170R

SOT-227 B2M030120N B2M012120N

全碳化硅功率模塊：如Pcore?系列（HPD/DCM封裝），應(yīng)用于主驅(qū)逆變器，大功率變頻器，提升能效；工業(yè)級SiC碳化硅MOSFET功率模塊全面取代傳統(tǒng)的IGBT模塊方案，助力儲能PCS，高頻電源，商空熱泵客戶電力電子系統(tǒng)升級。

Pcore?6 -汽車級HPD碳化硅MOSFET模塊 BMS800R12HWC4_B02 BMS600R12HWC4_B01 BMS700R08HWC4_B01

Pcore?2 - 汽車級DCM碳化硅MOSFET模塊 BMF800R12FC4 BMF950R08FC4

Pcore?1 - 汽車級TPAK碳化硅MOSFET模塊 BMZ200R12TC4 BMZ250R08TC4

Pcore?12 EP2封裝工業(yè)級碳化硅MOSFET模塊 BMS065MR12EP2CA2

34mm封裝工業(yè)級碳化硅MOSFET半橋模塊 BMF80R12RA3 BMF160R12RA3

E1B & E2B工業(yè)級碳化硅MOSFET模塊 BMH027MR07E1G3 BMF011MR12E1G3 BMF008MR12E2G3 BMF240R12E2G3

配套驅(qū)動IC：如雙通道隔離驅(qū)動芯片BTD25350，抑制SiC誤開通風(fēng)險。

BTD25350MMCWR BTD5350MCWR BTD21520MBWR BTD21520MBPR BTD3011R BTL27524R

基本半導(dǎo)體正激 DCDC 開關(guān)電源芯片BTP1521P

三、技術(shù)優(yōu)勢與產(chǎn)品創(chuàng)新

傾佳電子推廣的國產(chǎn)SiC器件具備顯著性能突破，助力替代傳統(tǒng)IGBT：

能效提升：相比IGBT，SiC-MOSFET開關(guān)損耗降低，導(dǎo)通電阻減少，系統(tǒng)效率提升；

高頻特性：支持LLC拓?fù)涞雀哳l應(yīng)用（如充電樁后級、光伏逆變器），優(yōu)化濾波器設(shè)計，降低系統(tǒng)體積與成本；

可靠性創(chuàng)新：BASiC?基本半導(dǎo)體第三帶代SiC器件反向傳輸電容（Crss）更小，抗串?dāng)_能力增強。

四、市場戰(zhàn)略與行業(yè)應(yīng)用

公司通過場景化推廣，將國產(chǎn)SiC滲透至多領(lǐng)域：

應(yīng)用領(lǐng)域 典型場景 核心價值

新能源汽車 電機控制器、OBC、DC/DC轉(zhuǎn)換器、空調(diào)壓縮機 能效升級

光伏與儲能 光伏逆變器、儲能變流器（PCS）、光儲一體機提升轉(zhuǎn)換效率，降低“光儲平價”成本。

工業(yè)與基礎(chǔ)設(shè)施 數(shù)據(jù)中心電源、通信基站、UPS系統(tǒng)、氫燃料空壓機驅(qū)動高頻化設(shè)計 減少無源元件用量

五、產(chǎn)業(yè)價值與未來愿景

國產(chǎn)化替代：推動國產(chǎn)SiC功率模塊在車規(guī)與工業(yè)場景規(guī)模化落地，打破海外壟斷；

零碳目標(biāo)：通過SiC節(jié)能特性（系統(tǒng)能耗降幅達(dá)70%），助力零碳數(shù)據(jù)中心、智能微電網(wǎng)等新型能源體系建設(shè)；

技術(shù)前瞻：布局第三代SiC-MOSFET（優(yōu)化鈍化層、低導(dǎo)通損耗），適配AI算力電源、超快充等前沿需求。

結(jié)語

傾佳電子以“連接器+SiC器件”雙引擎驅(qū)動，成為中國電力電子低碳轉(zhuǎn)型的關(guān)鍵支點。深度綁定國產(chǎn)供應(yīng)鏈（如BASiC?基本股份）、聚焦高壓快充與智能駕駛的技術(shù)演進(jìn)，不僅加速了IGBT替代進(jìn)程，更在能源數(shù)字化浪潮中確立了“國產(chǎn)化、高效化、集成化”的產(chǎn)業(yè)標(biāo)桿。