基本公司車規級SiC碳化硅MOSFET加速替代汽車里的IGBT！

使用基本公司車規級SiC碳化硅MOSFET打造全碳汽車功率電力電子系統！-傾佳電子（Changer Tech）專業分銷

使用基本公司車規級SiC碳化硅MOSFET升級傳統汽車IGBT應用，實現更高的汽車功率電力電子系統效率，更小的汽車功率電力電子系統重量！更低的汽車功率電力電子系統組件成本！

隨著銅價暴漲高燒不退，如何降低電感等磁性元件成本將成為電力電子制造商的一大痛點，使用基本公司碳化硅MOSFET單管或者模塊替代IGBT單管或模塊，可以顯著提頻降低系統綜合成本（電感磁性元件，散熱系統，整機重量），電力電子系統的全碳SiC時代，未來已來！傾佳電子（Changer Tech）專業分銷基本公司SiC碳化硅MOSFET！

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET在電力電子應用中全面取代IGBT，全力推動基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET加速革掉IGBT的命！Changer Tech is making every effort to promote the domestic BASiC silicon carbide (SiC) MOSFET to accelerate the replacement of IGBT!

基本公司自主研發的1200V 80mΩ碳化硅MOSFET AB2M080120H順利通過AEC-Q101車規級可靠性認證，產品性能和可靠性滿足汽車電子元器件在極端環境下的嚴苛要求，至此公司獲車規級認證的碳化硅功率器件產品家族再添一員。

傾佳電子（Changer Tech）致力于基本公司國產碳化硅（SiC）MOSFET功率器件在電力電子市場的推廣！Changer Tech-Authorized Distributor of BASiC Semiconductor which committed to the promotion of BASiC? silicon carbide (SiC) MOSFET power devices in the power electronics market!

AB2M080120H基于第二代碳化硅MOSFET技術平臺研發，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗，可支持更高開關頻率運行等特點，可應用于車載OBC、車載DCDC及汽車空調壓縮機領域。此次通過AEC-Q101認證，顯示AB2M080120H碳化硅MOSFET器件在極端環境下具備優異性能，滿足汽車行業高功率密度、高能效、高可靠性的需求。此外，基本公司同步推出了1200V 80mΩ和40mΩ規格的車規級碳化硅MOSFET系列產品，封裝覆蓋TO-247-3、TO-247-4和TO-263-7，可滿足汽車行業多樣性的應用場景需求。

AEC-Q101認證是汽車電子委員會(Automotive Electronics Council)制定的車用分立半導體元件可靠性測試標準，在全球汽車產業都具有極高的權威性。AEC-Q101認證門檻高，測試項目覆蓋廣，對分立器件的設計質量、安全性、可靠性要求極為嚴苛，是分立半導體廠家進入汽車領域的重要通行證。

基本公司自2017年開始布局車規級碳化硅器件研發和制造，逐步建立起規范嚴謹的質量管理體系，將質量管理貫穿至設計、開發到客戶服務的各業務過程中，保障產品與服務質量。公司分別在深圳、無錫投產車規級碳化硅芯片產線和汽車級碳化硅功率模塊專用產線；自主研發的汽車級碳化硅功率模塊已收獲了近20家整車廠和Tier1電控客戶的30多個車型定點，是國內第一批碳化硅模塊量產上車的頭部企業。

隨著新能源汽車行業的快速發展，市場對高性能功率半導體的需求日益增長。基本公司將繼續加大研發投入，提高質量管理能力，優化產品性能，為汽車行業客戶研發更多高性能的車規級碳化硅功率器件產品，全力助推碳中和愿景下的汽車產業電動化技術創新發展！

IGBT芯片技術不斷發展，但是從一代芯片到下一代芯片獲得的改進幅度越來越小。這表明IGBT每一代新芯片都越來越接近材料本身的物理極限。SiC MOSFET寬禁帶半導體提供了實現半導體總功率損耗的顯著降低的可能性。使用SiC MOSFET可以降低開關損耗，從而提高開關頻率。進一步的，可以優化濾波器組件，相應的損耗會下降，從而全面減少系統損耗。通過采用低電感SiC MOSFET功率模塊，與同樣封裝的Si IGBT模塊相比，功率損耗可以降低約70%左右，可以將開關頻率提5倍（實現顯著的濾波器優化），同時保持最高結溫低于最大規定值。

未來隨著設備和工藝能力的推進，更小的元胞尺寸、更低的比導通電阻、更低的開關損耗、更好的柵氧保護是SiC碳化硅MOSFET技術的主要發展方向，體現在應用端上則是更好的性能和更高的可靠性。

為此，BASiC?基本公司研發推出更高性能的第三代碳化硅MOSFET，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相比上一代產品擁有更低比導通電阻、器件開關損耗，以及更高可靠性等優越性能，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業電源、通信電源、伺服驅動、APF/SVG、熱泵驅動、工業變頻器、逆變焊機、四象限工業變頻器等行業實現更為出色的能源效率和應用可靠性。

為滿足光伏儲能領域高電壓、大功率的應用需求，BASiC?基本公司基于第二代SiC MOSFET技術平臺開發推出了2000V 24mΩ、1700V 600mΩ高壓系列碳化硅MOSFET，產品具有低導通電阻、低導通損耗、低開關損耗、支持更高開關頻率運行等特點。

針對新能源汽車的應用需求，BASiC?基本公司研發推出符合AEC-Q101認證和PPAP要求的1200V 80mΩ和40mΩ 的碳化硅MOSFET，可主要應用在車載充電機及汽車空調壓縮機驅動中。

B3M040120Z是BASiC?基本公司基于第三代碳化硅MOSFET技術平臺開發的最新產品，該系列產品進一步優化鈍化層，提升可靠性，相對于上一代產品在比導通電阻、開關損耗以及可靠性方面有更進一步提升。

BMF240R12E2G3是BASiC?基本公司基于PcoreTM2 E2B封裝的1200V 5.5mΩ工業級全碳化硅半橋功率模塊，產品采用集成的NTC溫度傳感器、Press-Fit壓接技術以及高封裝可靠性的氮化硅AMB陶瓷基板，在導通電阻、開關損耗、抗誤導通、抗雙極性退化等方面表現出色。

B2M040120T和B2M080120T是BASiC?基本公司基于第二代碳化硅MOSFET技術開發的頂部散熱內絕緣的塑封半橋模塊，主要應用于OBC、空調壓縮機和工業電源中。

BASiC?基本公司推出可支持米勒鉗位的雙通道隔離驅動芯片BTD25350系列，此驅動芯片專為碳化硅MOSFET門極驅動設計，可高效可靠抑制碳化硅MOSFET的誤開通，還可用于驅動MOSFET、IGBT等功率器件。

為了保持電力電子系統競爭優勢，同時也為了使最終用戶獲得經濟效益，一定程度的效率和緊湊性成為每一種電力電子應用功率轉換應用的優勢所在。隨著IGBT技術到達發展瓶頸，加上SiC MOSFET絕對成本持續下降，使用SiC MOSFET替代升級IGBT已經成為各類型電力電子應用的主流趨勢。

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傾佳電子（Changer Tech）-專業汽車連接器及功率半導體(SiC碳化硅MOSFET單管，SiC碳化硅MOSFET模塊，碳化硅SiC-MOSFET，氮化鎵GaN，驅動IC)分銷商，聚焦新能源、交通電動化、數字化轉型三大方向，致力于服務中國工業電源，電力電子裝備及新能源汽車產業鏈。在新型能源體系的發展趨勢場景下，融合數字技術、電力電子技術、熱管理技術和儲能管理技術，以實現發電的低碳化、用能的電氣化和用電的高效化，以及“源、網、荷、儲、車”的協同發展。傾佳電子（Changer Tech）-以技術創新為導向，將不斷創新技術和產品，堅定不移與產業和合作伙伴攜手，積極參與數字能源產業生態，為客戶提供高品質汽車智能互聯連接器與線束，新能源汽車連接器，新能源汽車高壓連接器與線束，直流充電座，耐高壓連接器&插座，創新型車規級互聯產品，包括線對板、板對板、輸入輸出、電源管理和FFC-FPC連接器，涵蓋2級充電站和可在30分鐘內為EV電池充滿電的3級超快速充電站的高能效電源連接器，用于地下無線充電的IP67級密封連接器。以及以技術創新為導向的各類功率半導體器件：車規碳化硅(SiC)MOSFET，大容量RC-IGBT模塊，碳化硅(SiC)MOSFET模塊，IGBT模塊，國產碳化硅(SiC)MOSFET，IPM模塊，IGBT單管，混合IGBT單管，三電平IGBT模塊，混合IGBT模塊，光伏MPPT碳化硅MOSFET，伺服驅動SiC碳化硅MOSFET，逆變焊機國產SiC碳化硅MOSFET，OBC車載SiC碳化硅MOSFET，儲能變流器PCS碳化硅MOSFET模塊，充電樁電源模塊碳化硅MOSFET，國產氮化鎵GaN，隔離驅動IC等產品，傾佳電子（Changer Tech）全面服務于中國新能源汽車行業，新能源汽車電控系統，電力電子裝備，新能源汽車充電樁系統，全液冷超充，高功率密度風冷充電模塊，液冷充電模塊，歐標充電樁，車載DCDC模塊，國網三統一充電模塊光儲變流器，分布式能源、虛擬電廠、智能充電網絡、V2X、綜合智慧能源、智能微電網智能光儲，智能組串式儲能等行業應用，傾佳電子（Changer Tech）為實現零碳發電、零碳數據中心、零碳網絡、零碳家庭等新能源發展目標奮斗，從而為實現一個零碳地球做出貢獻，邁向數字能源新時代！